デバイスは旧NECのNE3515S02というGaAs-FETです。
セブロン電子さんのLNA基板に実装して、スタブで簡単に調整して見たところ
GAINが37dBもとれました。(FET2段構成です)
1段あたり18dB以上のゲインです。
NFは追い込まなかったので、1.3dB程度でしたが、中々良さそうなデバイスです。
飽和出力は−20dBm入力時に15dBm出力でした。(5760MHz)
試しに2245MHzで−10dBm入力すると、4490MHzで
1〜3dBmが得られました。(無調整です)
このデバイスで色々と実験してみたいと思います。

完成したプリアンプ