デバイスは旧ＮＥＣのNE3515S02というGaAs-FETです。
セブロン電子さんのＬＮＡ基板に実装して、スタブで簡単に調整して見たところ
ＧＡＩＮが３７ｄＢもとれました。（ＦＥＴ２段構成です）
１段あたり１８ｄＢ以上のゲインです。
ＮＦは追い込まなかったので、１．３ｄＢ程度でしたが、中々良さそうなデバイスです。
飽和出力は－２０ｄＢｍ入力時に１５ｄＢｍ出力でした。（５７６０ＭＨｚ）
試しに２２４５ＭＨｚで－１０ｄＢｍ入力すると、４４９０ＭＨｚで
１～３ｄＢｍが得られました。（無調整です）
このデバイスで色々と実験してみたいと思います。
完成したプリアンプ
